20點(diǎn)輸入輸出型。
連接器（富士通產(chǎn)）。
需要I/O連接器數(shù)：2個(gè)。
輸入：DC24V，12點(diǎn)。
輸出：晶體管（漏型），8點(diǎn)。
計(jì)時(shí)：有。
在超小型的外表下集合了有效控制機(jī)器的多彩的功能CPM2C-S110C-DRT手冊(cè)。
CPU具有繼電器輸出/晶體管輸出、端子臺(tái)鏈接器連接、時(shí)鐘功能有無(wú)等多種型號(hào)（僅限D(zhuǎn)C電源）CPM2C-S110C-DRT
可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況選擇輸出類型、I/O點(diǎn)數(shù)。
另外，通用8點(diǎn)/10點(diǎn)/16點(diǎn)/20點(diǎn)/24點(diǎn)/32點(diǎn)的擴(kuò)展I/O單元，
最多可控制192點(diǎn)輸入輸出。模擬量4點(diǎn)輸入。
電壓輸入：0～5V、1～5V、0～10V、-10～10VCPM2C-S110C-DRT手冊(cè)。
電流輸入：0～20mA、4～20mA。
轉(zhuǎn)向智能，進(jìn)行更智能的處理。
簡(jiǎn)單、智能的模擬量I/O從站。
除模擬量數(shù)據(jù)輸入和輸出外，
模擬量I/O從站單元還可以在內(nèi)部使用定標(biāo)等多種功能，
這些功能以前需要在主機(jī)PLC的梯形編程中進(jìn)行處理。
定標(biāo)等功能支持相當(dāng)于數(shù)字面板表的模擬量處理。
使用偏差和累積計(jì)數(shù)器功能為設(shè)備錯(cuò)誤預(yù)測(cè)和流速應(yīng)用等進(jìn)行模擬量計(jì)算CPM2C-S110C-DRT手冊(cè)。
可以使用用戶調(diào)整功能補(bǔ)償輸入或輸出中的偏差。
利用開(kāi)關(guān)設(shè)置輕松更改輸入或輸出范圍。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：3K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作歐姆龍CPM2C-S110C-DRT操作手冊(cè)。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
開(kāi)關(guān)容量：AC250V，1.2A以下。
所需字?jǐn)?shù)：1字歐姆龍CPM2C-S110C-DRT操作手冊(cè)。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
CS1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)。或者，通過(guò)按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)歐姆龍CPM2C-S110C-DRT操作手冊(cè)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新CPM2C-S110C-DRT。
但是，借助新CS1，通過(guò)使用用DLNK指令，可立即刷新I/OCPM2C-S110C-DRT手冊(cè)。
立即刷新特定于CPU總線單元的過(guò)程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過(guò)程。