模擬量輸出（電流）。
提供智能功能操作狀態(tài)，有助于預(yù)防性維護(hù)并提高運(yùn)行率。
注冊(cè)偽SmartSlice I/O，減少未來(lái)擴(kuò)展的設(shè)計(jì)工作。
兼容CompoNet的單元在一個(gè)節(jié)點(diǎn)多可以連接256點(diǎn)輸入和256點(diǎn)輸出歐姆龍GT1-TS04P。
連接高達(dá)64個(gè)SmartSlice I/O單元。
將I/O集中在一個(gè)從站：高達(dá)256點(diǎn)輸入和256點(diǎn)輸出GT1-TS04P
在一個(gè)從站混合不同的I/O類(lèi)型以幫助節(jié)省空間。
只需設(shè)置節(jié)點(diǎn)地址即可輕松啟動(dòng)。
保持通信的同時(shí)在線(xiàn)更換SmartSlice I/O單元，將系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間降至低。繼電器輸出，2點(diǎn)歐姆龍GT1-TS04P。
連接高達(dá)64個(gè)SmartSlice I/O單元。
將I/O集中在一個(gè)從站：高達(dá)256點(diǎn)輸入和256點(diǎn)輸出。
在一個(gè)從站混合不同的I/O類(lèi)型以幫助節(jié)省空間。
只需設(shè)置節(jié)點(diǎn)地址即可輕松啟動(dòng)。
保持通信的同時(shí)在線(xiàn)更換SmartSlice I/O單元，將系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間降至低。
提供智能功能操作狀態(tài)，有助于預(yù)防性維護(hù)并提高運(yùn)行率歐姆龍GT1-TS04P。
注冊(cè)偽SmartSlice I/O，減少未來(lái)擴(kuò)展的設(shè)計(jì)工作。
兼容CompoNet的單元在一個(gè)節(jié)點(diǎn)多可以連接256點(diǎn)輸入和256點(diǎn)輸出。8點(diǎn)輸入。
NPN類(lèi)型。
擴(kuò)展I/O單元讓擴(kuò)展輕而易舉。
每個(gè)數(shù)字I/O從站單元可添加1個(gè)擴(kuò)展單元?dú)W姆龍溫度輸入單元。
這樣可實(shí)現(xiàn)各種I/O組合，
例如16點(diǎn)輸入+8點(diǎn)輸出，從而擴(kuò)大了可用的系統(tǒng)配置范圍。
通過(guò)多種不同組合的靈活擴(kuò)展。
采用可拆卸式I/O端子塊可提高啟動(dòng)時(shí)間并且改善可維護(hù)性。
收集改善生產(chǎn)效率所需的各種預(yù)防性維護(hù)數(shù)據(jù)，
例如有關(guān)由于老化導(dǎo)致的設(shè)備衰退的信息以及設(shè)備運(yùn)行時(shí)間數(shù)據(jù)。繼電器搭載輸出8點(diǎn)歐姆龍溫度輸入單元。
繼電器I/O終端(繼電器搭載類(lèi)型)
實(shí)現(xiàn)小型大小的8點(diǎn)、16點(diǎn)繼電器搭載型
由于內(nèi)部回路和I/O側(cè)是緣結(jié)構(gòu)，因此可以由另外電源供電。
擁有繼電器搭載型和功率MOS FET繼電器搭載型產(chǎn)品。
繼電器輸入8點(diǎn)型歐姆龍溫度輸入單元。
功率MOS FET。
繼電器輸出8點(diǎn)型。
繼電器輸出16點(diǎn)型。
功率MOS FET。
繼電器輸出16點(diǎn)型。2層螺釘端子塊。
8點(diǎn)輸入/8點(diǎn)輸出。
NPN類(lèi)型。
每個(gè)數(shù)字I/O從站單元均可添加一個(gè)擴(kuò)展單元以增加系統(tǒng)配置的靈活性。
通信連接器和可拆卸式I/O端子塊可加快快啟動(dòng)時(shí)間并且改善可維護(hù)性GT1-TS04P。
除數(shù)字I/O從站單元的基本數(shù)字ON/OFF信號(hào)號(hào)外，
還從從站單元收集有用的信息以改善設(shè)備的操作速度和可維護(hù)性歐姆龍GT1-TS04P。
收集改善生產(chǎn)效率所需的各種預(yù)防性維護(hù)數(shù)據(jù)，
例如有關(guān)由于老化導(dǎo)致的設(shè)備衰退的信息以及設(shè)備運(yùn)行時(shí)間數(shù)據(jù)。
通信電源功能使啟動(dòng)簡(jiǎn)單化。